Samsung удалось создать первый мобильный модуль памяти LPDDR4 на 8 ГБ
Компания Samsung представила первый мобильный модуль оперативной памяти типа LPDDR4 объёмом 8 ГБ с использованием четырёх новейших 16-гигабитных чипов, выполненных по 10-нм техпроцессу. Эта память имеет низкое энергопотребление и удвоенную скорость передачи. Она позволяет передавать данные на скорости до 4 266 Мбит/с, что в два раза быстрее в сравнении с DDR4 SDRAM-памятью для персональных компьютеров, которая, как правило, работает на скорости до 2 133 Мбит/с. Samsung считает, что новая память значительно улучшит опыт использования мобильных устройств, особенно тех, в которых установлены Ultra HD-экраны.
Ключевые особенности новых модулей памяти:
- изготовление по 10-нм техпроцессу;
- использования четырёх 16-гигабитных чипов памяти LPDDR4;
- передача данных на скорости до 4 266 Мбит/с, что на 20% выше в сравнении с аналогичным чипом, выполненным по 20-нм техпроцессу;
- в два раза быстрее DRAM-памяти типа DDR4 для персональных компьютеров;
- размер чипа всего 15х15х1 мм.
"Появление нашего мощного решения мобильной памяти DRAM на 8 ГБ позволит сделать наши флагманские устройства следующего поколения самыми мощными в мире. Мы будем продолжать предоставлять передовые технологии в области памяти, предлагая самые высокие ценности и передовые преимущества для удовлетворения растущих потребностей устройств с двойными камерами, 4K-экранами и поддержкой виртуальной реальности", - заявил Джу Сан Чой, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти Samsung Electronics.
Исходя из этого заявления можно предположить, что следующий флагман компании, Galaxy S8, получит 8 ГБ оперативной памяти, двойную камеру и 4K-дисплей, что неоднократно подтверждалось разными источниками.
Источник: